多晶硅超純水設(shè)備主要用在多晶硅片清洗中，多晶硅片,半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會(huì)導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無(wú)機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機(jī)污染包括光刻膠、有機(jī)溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來(lái)的油脂或纖維。無(wú)機(jī)污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo);堿金屬如鈉等，引起嚴(yán)重漏電,顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌、微生物、有機(jī)膠體纖維等，會(huì)導(dǎo)致各種缺陷。

　　為什么光伏行業(yè)晶體管、半導(dǎo)體集成電路清洗一定要用超純水?

　　在晶體管、集成電路生產(chǎn)中，純水主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制，硅片氧化的水汽源，部分設(shè)備的冷卻水，配制電鍍液等。集成電路生產(chǎn)過(guò)程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片，水質(zhì)的好壞與集成電路的產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)成品率關(guān)系很大。水中的堿金屬(K、Na等)會(huì)使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會(huì)使PN結(jié)耐壓降低，Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會(huì)使N型半導(dǎo)體特性惡化，Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會(huì)使P型半導(dǎo)體特性惡化，水中細(xì)菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會(huì)使P型硅片上的局部區(qū)域變?yōu)镹型硅而導(dǎo)致器件性能變壞，水中的顆粒(包括細(xì)菌)如吸附在硅片表面，就會(huì)引起電路短路或特性變差。集成電路(DRAM)集成度16K的要求是電阻率16兆歐以上，集成電路(DRAM)集成度64K的要求是電阻率16兆歐以上，集成電路(DRAM)集成度256K的要求是電阻率≥17 MΩ•cm，集成電路(DRAM)集成度1M的要求電阻率≥18MΩ•cm，集成電路(DRAM)集成度4M的要求電阻率≥18MΩ•cm，集成電路(DRAM)集成度16M的要求電阻率≥18.2MΩ•cm。

　　執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

　　JBT 7621-1994 電力半導(dǎo)體器件工藝用高純水

　　GBT11446.1-2013電子級(jí)超純水中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

　　GB6682-2000中國(guó)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室用水GB6682-2000

　　ASTM D5127-2007美國(guó)電子和半導(dǎo)體水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

　　GB/T 11446.3——1997 電子級(jí)水測(cè)試方法通則

　　GB/T 11446.4——l997 電子級(jí)水電阻率的測(cè)試方法

　　GB/T 11446.5——1997 電子級(jí)水中痕量金屬的原子吸收分光光度測(cè)試方法

　　GB/T 11446.6——1997 電子級(jí)水中二氧化硅的分光光度測(cè)試方法

　　GB/T 11446.7——1997 電子級(jí)水中痕量氯離子、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的離子色譜測(cè)試方法

　　GB/T 11446.8——1997 電子級(jí)水中總有機(jī)碳的測(cè)試方法

　　GB/T 11446.9——1997 電子級(jí)水中微粒的儀器測(cè)試方法

　　GB/T 11446.10——1997 電子級(jí)水細(xì)菌總數(shù)的濾膜培養(yǎng)測(cè)試方法

　　我司整合了國(guó)內(nèi)外先進(jìn)的工藝及技術(shù)，采用預(yù)處理+雙級(jí)反滲透+EDI+雙級(jí)拋光混床+終端濾器。

　　超純水一方面在于制水工藝，另外一個(gè)重要的方面在于超純水的輸送，我司采用PVDF材質(zhì)管道，保證終端用水點(diǎn)的水質(zhì)達(dá)到使用要求。